GlobalFoundries (GF) ו-RAAAM Memory Technologies הישראלית הכריזו על שיתוף פעולה אסטרטגי לפיתוח ולהסמכה של טכנולוגיית זיכרון GCRAM –  על גבי פלטפורמת FDX FD-SOI של GlobalFoundries.

החברות כבר השלימו אבן דרך משמעותית במסגרת שיתוף הפעולה, עם Tape-out מוצלח של שבב בדיקה המשלב את טכנולוגיית ה-GCRAM של RAAAM. הפתרון מיועד לספק חלופה לזיכרונות SRAM המשולבים כיום בשבבים, תוך שיפור משמעותי בצפיפות ובצריכת ההספק.

לדברי החברות, תכנון תא הזיכרון החדש מאפשר צמצום של כ-40% בשטח הזיכרון ועד 60% הפחתה בצריכת ההספק בהשוואה ל-SRAM, נתונים שעשויים להיות משמעותיים במיוחד עבור שבבי AI בקצה (Edge AI), יישומי רכב ו-IoT, שבהם הזיכרון המשולב תופס חלק הולך וגדל משטח הסיליקון.

RAAAM, שבסיסה בפתח תקווה, מפתחת טכנולוגיית זיכרון GCRAM המיועדת להשתלב בתהליכי CMOS סטנדרטיים ולשמש כתחליף ל-SRAM ב-SoCs. שילוב הטכנולוגיה עם FD-SOI מאפשר גם לנצל את רמות הזליגה הנמוכות של התהליך לטובת חיסכון נוסף באנרגיה.

החברות מתכננות להתחיל להציע ללקוחות מובילים גישה לתכנון המבוסס על GCRAM בתחילת 2027. גם NXP Semiconductors כבר בוחנת את היתרונות של הפתרון המשותף.